脫離金屬離子精餾塔是專為電子級濕化學品、半導體特氣、高純前驅體等對金屬離子有要求的物料設計的專用精餾設備，核心通過全流程無金屬接觸的材質選型、結構設計與工藝優化，從源頭杜絕金屬離子的溶出、夾帶與污染，實現金屬雜質含量降至ppt 級甚至亞 ppt 級，滿足 7N~11N 級半導體材料的純化需求，是芯片制造、化合物半導體生產中超高純物料制備的核心裝備。
一、核心設計理念：從源頭斬斷金屬離子污染
傳統精餾塔因接觸物料部分采用金屬材質（即便為 316L 不銹鋼），仍會存在微量金屬離子溶出，且金屬表面的吸附與解析會造成二次污染，無法滿足半導體 ppt 級的金屬離子管控要求。脫離金屬離子精餾塔的設計核心圍繞 **“全流程無金屬接觸"** 展開，摒棄所有金屬材質與金屬連接件，通過高純非金屬材質的選型、無縫結構設計、惰性氛圍保護，消除金屬離子污染的所有可能環節，實現 “零金屬溶出、零金屬夾帶"。
二、核心性能指標：適配半導體超純要求
脫離金屬離子精餾塔的性能指標遠高于普通工業精餾塔，核心圍繞金屬離子含量、純度等級、雜質脫除率展開，滿足 SEMI C12/C18 等電子級材料標準：
金屬離子含量：單種金屬離子含量≤0.1ppt，總金屬離子含量≤1ppt，無重金屬（Fe、Cu、Ni、Cr）、半導體有害金屬（B、P、As、Sb）溶出；
物料純度：塔頂產品純度可達 7N~11N（99.99999%~99.999999999%）；
雜質脫除率：水分脫除率≥99.999%，有機物雜質（TOC）脫除至≤10ppb，固體顆粒≤0.01μm（顆粒數≤1 個 /mL）；
操作穩定性：連續運行≥800h 無材質老化、無密封泄漏，產品純度波動≤±0.00001%；
無二次污染：全程無金屬接觸、無溶出、無吸附，物料與材質無任何化學反應。
三、適用場景：聚焦半導體超高純物料純化
脫離金屬離子精餾塔因材質耐溫、耐壓特性，主要適用于中低沸點、無強腐蝕性的半導體超高純物料的純化，是芯片制造、化合物半導體、微電子器件生產中核心物料的專用純化裝備，典型應用場景如下：
電子級高純溶劑：異丙醇（IPA）、無水乙醇、丙酮、PGMEA、NMP 等，用于晶圓清洗、光刻膠剝離，要求金屬離子 ppt 級；
半導體高純試劑：高純氨水、高純鹽酸（低硼）、等濕化學品，用于晶圓刻蝕、清洗；
高純電子特氣：硅烷（SiH?）、磷烷（PH?）、砷烷（AsH?）等輕烴類特氣，低沸點前驅體純化；
化合物半導體原料：三甲基鎵（TMGa）、三甲基銦（TMIn）等 MO 源前驅體（熱敏性物料），真空減壓下無金屬純化；
實驗室超高純試劑：ICP-MS/HPLC 等分析測試用空白試劑、標樣溶劑，要求無金屬離子干擾。
